Mikronam ir “negaisa mākoņi pie horizonta”: MS

Boisas akcijas, Aidaho bāzētais pusvadītāju ražotājs Micron Technology Inc. (MU), ceturtdienas rītā strauji kritās pēc vienas ielas analītiķu komandas pievilcīgas piezīmes, kas paredz, ka sarkano karsto mikroshēmu krājumi zaudēs vietu pēc straujāka līmeņa sasniegšanas kopš dot-com krūšutēls. (Skat. Arī: Kā nodrošināt kritumu mikroshēmu krājumos. )

Lielākais ASV atmiņas mikroshēmu ražotājs maija kopējai tirgus kapitalizācijai pievienoja aptuveni USD 20 miljardus, pieaugot par aptuveni 37% pirms šīs nedēļas izpārdošanas, un krājumi bija gaidāmi, lai sasniegtu labāko mēneša veiktspēju kopš 2009. gada. DRAM un NAND mikroshēmu veidotāju rallijs bija daļēji veicināja labāki peļņas rezultāti, nekā gaidīts, un akciju atpirkšanas plāns USD 10 miljardu vērtībā. Tirdzniecības cenas kritums par 5.6% ceturtdienas rītā pie USD 59, 07, MU atspoguļo 43, 8% pieaugumu no gada sākuma (YTD) un 91, 6% ienesīgumu 12 mēnešu laikā, strauji pārspējot S&P 500 1, 6% pieaugumu un 12, 6% pieaugumu tajos pašos periodos. .

Kļūda piesardzības pusē

Ceturtdien Morgans Stenlijs rakstīja piezīmi klientiem, kas pazemināja MU krājumus no liekā svara līdz vienādam svaram, atsaucoties uz tā cenu, kas pilnībā noteikta pēc cenas. Analītiķis Džozefs Mūrs rakstīja, ka pēc tam, kad pēdējos divus gadus bija noticis atmiņā, firma ieņem vairāk neitrālas nostājas. "Mēs drīzāk kļūdītos piesardzības pusē vidē, kur pie horizonta varam redzēt negaisa mākoņus, " rakstīja analītiķis, atzīmējot, ka sarunas ar nozares kontaktiem signalizē par mazāk nozīmīgu atmiņas atsitienu sezonas laikā. Mūrs atkārtoja savu 65 USD 12 mēnešu cenu mērķi MU akcijām.

Mūra reibinošais ziņojums ir pretrunā ar vēršu piezīmi otrdien Argus Research, kurā analītiķi aplaudēja Micron par pārveidošanu par "DRAM un NAND spēkstaciju" un pāreju no vērtības ieguldījuma uz izaugsmes spēli. "Mēs iesakām investoriem izmantot jebkādas nepilnības akciju cenā vai kopējā tirgū kā iespēju papildināt vai iniciēt pozīcijas, " rakstīja Argus. (Skatiet arī: Micron, lai iegūtu spēcīgas NAND-DRAM tendences. )